卡迪夫大学（威尔士）的研究人员创造了纳米激光器，每个纳米激光器的占位面积仅为3×3μm，可以集成到绝缘体上的硅（SOI）光子电路中。激光器发射1290nm的光，通过硅中的2D光栅引入硅中。

“这是第一个展示光子带边激光器如何直接集成在图案化的SOI平台上的演示” Diana Huffaker教授说，目前她是卡迪夫大学物理与天文学院复合半导体研究所的科学主任。

这个基于铟镓砷/磷化铟（InGaAs / InP）的室温激光器以9 x 9阵列制造，其腔质量Q因子为23,000，阈值为200μJcm^-2。

“这项研究将对快速发展的光子学领域产生长期影响，特别是对推动大批量，高规格光学元件商品化，使其用于大众通信市场和传感应用有深远意义。”化合物半导体主管Wyn Meredith说。