关于878.6nm的半导体激光器用于泵浦Nd:YVO4晶体的研究和测试近几年已非常成熟，恩耐公司于2011年向市场推出878.6nm半导体激光器，得到了非常好的反应。目前北美和欧洲的知名固体激光器公司已大规模采用878.6nm作为标准泵浦源，用于泵浦固体激光器。与传统的808nm泵浦相比，恩耐公司的878.6nm激光器具有如下特点：

    1. 量子效率高，无需TEC
    图1.是Nd:YVO4的能级图，其中A）是传统的808nm能级跃迁图，B）是878.6nm能级跃迁图，C)是激光发射对应的能级跃迁图。从图中可以看出，原子可吸收878.6nm的光从基态跃迁到激发态4F3/2，直接从激发态产生激光。因此具有高的量子效率并能有效减少散热。恩耐公司的这款878.6nm的半导体激光器在使用中无需TEC温控，仅通过环境风冷即可。国外文献报道的这款激光器的泵浦效率可达70%以上，而一般工业应用中可达50%。

    2. 波长锁定，光谱宽度（FWHM）小于1nm
    Nd:YVO4晶体有两个主要的吸收峰，808nm附近的吸收峰带宽较宽，而878.6nm附近的吸收带宽较窄。恩耐公司提供的878.6nm的半导体激光器带光纤光栅，输出光谱宽（FWHM）小于1nm，中心波长公差为+/-0.5nm，且锁定波长在温度变化+/-5度、电流变化+/-2A内，波长的变化值小于0.1nm，保证较高的泵浦效率。

    3.电光效率>55%，光纤耦合效率>95%
    恩耐公司具有世界领先的芯片生长技术、封装工艺和光纤耦合技术。878.6nm的激光器电光效率可达55%以上，400um光纤耦合输出效率可达95%以上，输出功率可达200W。下图是恩耐公司典型的一款878.6nm/100W的半导体激光模块的测试曲线。

    恩耐公司提供的878.6nm的激光模块，功率范围为20W-200W，光纤芯径400um。更多详情请点击：www.nlight.net