在数字经济加速渗透的当下，算力与光互联的协同演进成为产业升级的核心驱动力，而光模块的性能突破，始终依赖于核心光源芯片的技术迭代。作为国内高端半导体激光芯片领域的领军企业，度亘核芯依托全流程自主可控的FAB工艺平台，成功推出全国产化新一代1310nm单模DFB（分布式反馈）激光芯片及其COS封装产品，从芯片设计、外延生长、工艺制备到规模化量产实现全流程自主可控，其核心优势包括：非制冷70mW高功率、高效率输出、单纵模高稳定性激光，为数据中心互连、光子计算等关键场景提供 “国产替代、性能领先” 的光源解决方案，助力中国光通信产业链向上突破。

应用背景

无处不在的光联接

锚定光互联核心需求

1310nm 波段作为光纤通信 O 波段的“黄金窗口”，兼具低传输损耗、近零色散特性，是中短距离高速数据传输的最优选择之一。随着数据中心向400G/800G甚至1.6T速率演进，光模块对光源芯片提出了“高功率、低功耗、窄线宽、高稳定”的严苛要求——既要支撑高密度算力实时交互，又要适配数据中心低能耗部署需求。

度亘核芯1310nm DFB激光芯片精准锚定这一需求，凭借其高稳定、单纵模特性（边模抑制比≥40dB），完美匹配硅光模块对光源的高兼容性要求，成为高端光模块的“核心心脏”，为光互联网络的稳定高速运转注入“中国动力”。

产品特点

四大指标领跑行业

赋能高端光模块

度亘核芯1310nm CW DFB 70mW产品是一款专为硅光光源、数据中心等应用设计的高功率半导体激光芯片，可在25~75℃温度范围内达到70mW的出光功率，采用掩埋异质结（BH）结构，具有低阈值、对称远场发散角、高电光转换效率、高耦合效率的优势。在功率、效率、稳定性等维度实现全面突破：

• 宽温输出功率：在25~75℃的整个工作温度范围内，芯片均可稳定输出70mW的高功率;

• 低阈值电流：在25℃，阈值电流低至10mA， 芯片待机功耗降低 30%，延长使用寿命;

• 高电光转换效率：电光转换效率（室温下达36%）与斜率效率（25℃时0.48W/A）均达到行业领先水平，显著降低模块待机功耗与散热压力，适配数据中心高密度部署需求;

• 对称远场发散角：远场发散角对称分布，与光纤、透镜耦合效率提升，简化光模块光学设计。

1310 CW DFB 70mW COS的L-I特性曲线

1310 CW DFB 70mW COS 25℃下的光谱曲线

1310 CW DFB 70mW COS 75℃下的光谱曲线

紧跟硅光/CPO趋势

抢占下一代光通信技术高地

随着硅光集成、CPO（共封装光学）等新技术加速落地，光通信正朝着800G、1.6T乃至更高带宽演进，对激光芯片的“小型化、低功耗、高集成”提出更高要求。看似微小的1310nm DFB激光芯片与COS封装技术，实则是现代光网络不可或缺的基础。在万物互联的时代，作为光通信产业链的“上游核心”，度亘核芯将持续创新，深耕于光的细微之处，，让“中国芯”支撑起全球数字网络的高速运转。

关于度亘

度亘核芯以高端激光芯片的设计与制造为核心竞争力，聚焦光电产业链上游，拥有覆盖化合物半导体激光器芯片设计、外延生长、器件工艺、芯片封装、测试表征、可靠性验证以及功能模块等全套工程技术能力和量产制造能力，专注于高性能、高功率、高可靠性光电芯片及器件的设计、研发和制造，产品广泛应用于工业加工、智能感知、光通信、医疗健康和科学研究等领域，致力打造具有国际行业地位的产品研发中心和生产制造商。