SEMI最新研究报告显示，2011年全球半导体光刻掩膜板市场达到了31.2亿美元规模，预估2013年这一数字可达33.5亿美元。继2010年达到高峰以后，光刻掩膜板市场2011年再次增长了3%，创下历史新高。而未来两年光刻掩膜板市场则预计将有4%和3%的成长。驱动z这一市场成长的关键主要来自于先进技术持续进行微缩(小于65纳米)，以及亚太地区制造业的蓬勃发展。2010年，台湾超过日本成为最大的光刻掩膜板市场，并预计将在未来预期内保持最大。

   掩膜制造市场正变得越来越资本密集型;据SEMI数据显示，2011年时掩膜、光罩制造设备创纪录的一年，比上一个历史记录高点2012年再增长了36%达到11.1亿美元。随着光刻掩膜板行业的资本密集度增强，转悠光刻掩膜板(captive photomask)厂商的市场占有率也不断扩大，与2006年得30%相比扩大到40%。

数据1：2011年各地区光刻掩膜板市场比例

来源：《Photomask characterization Summary》报告

针对sub45纳米制程节点，透过显影光源优化(Source Mask Optimization，SMO)的应用将可扩展单次曝光程序，而双重曝光(double patterning)技术也被视为重要方案。为了协助将光学光刻技术延伸至22纳米节点尺寸，除了双重曝光和SMO之外，芯片制造商还打算利用运算光刻 (computational lithography)的技术。定向自装作为延伸光学光刻到10nm节点的一个可能的方法近日获得了大量的关注。

虽然EUV的光源和光阻已有所改善，但目前EUV已被推迟至少到14nm节点，但一些产业观察人士认为EUV可能在10nm进入量产。然而，有关技术准备的担忧依然存在，一些芯片制造商在14nm采用并行的光刻技术路线图。何时或是否EUV会被广泛采用，还得取决于成本考虑，以及能否为此革命性技术形成新的供应链。

而对于大批量光刻掩膜板(merchant photomask)供货商来说，经济方面的不确定性因素远比技术问题更让人头痛，随着线宽必须不断缩小的趋势下，厂商面临诸多艰巨的挑战，更多先进的光刻掩膜板工具和材料必须应运而生，但却仅有部份的客户会转移至更小尺寸的产品，而且似乎对于专有光刻掩膜板厂商的依赖也日益加深，因此批发式光刻掩膜板产业必须在一个正在萎缩的市场上找到它的平衡点，既能进行技术升级发展也能兼顾资本成本。

SEMI最近发表了《Photomask characterization Summary》，对2011年的光刻掩膜板市场提供详细的分析，并以全球七个主要地区，包括北美、日本、欧洲、台湾、韩国、中国、以及其它地区进行市场分析，该报告还囊括每一地区从2006至2013年间的相关数据。
（） （）