晶圆检测：检测粗糙度、缺陷及颗粒物

基于散射测量技术，半导体行业采用激光技术对硅晶圆进行质量检测，具体包括粗糙度、缺陷及颗粒物的检测。随着半导体器件持续升级迭代，特别是其微型化进程不断推进，晶圆的缺陷容限正变得越来越小。

针对颗粒污染、晶体缺陷及其他已知缺陷类型，行业已趋于零容忍标准。此外，新型缺陷的出现也给晶圆制造带来了新的挑战。为提升化合物半导体及硅器件的生产良率，对晶圆表面、亚表面层及晶体内部的研究正发挥着日益重要的作用。除激光辐射分析技术外，电子散射与X射线散射等检测手段也得到普遍应用。

激光经表面弹性散射后的探测

基于表面弹性散射的激光探测技术具有多重优势：可检测的缺陷与颗粒最小尺寸极小，高功率特性保障了检测通量，短波长带来优异分辨率，同时满足在线分析的处理速度要求。在图形化工艺前，基于激光的晶圆检测技术可对晶圆表面实现高灵敏度与高通量的检测。

借助激光干涉测量技术，能够有效识别并改善多项关键工艺参数，包括：非均匀性缺陷、颗粒污染与划痕、表面平整度、晶体结构异常以及掺杂均匀性等影响因素。

单频DPSS紫外连续波激光器

连续波模式下的单频DPSS紫外激光器在半导体行业具有显著优势，因其能提供精确的干涉图案且具备低强度噪声特性。结合窄线宽特性可呈现卓越信噪比，从而实现高测量灵敏度。绝对波长稳定性与长相干长度更有利于长期测量中的精度保持。我们的连续波DPSS激光器具备优异光束质量、高功率输出及极小占地的特性，为用户操作和使用带来最大灵活性。

FQCW系列266nm连续单频固体激光器

FQCW266是德国Crylas公司研制的一款266nm连续单频固体激光器，该系列激光器拥有小于300kHz的光谱线宽，大于1000米的相干长度，同时拥有非常好光束质量。该系列一共有8个型号，分别对应输出功率：10mW，25mW，50mW，100mW，200mW，300mW, 600mW, 1200mW。其中10mW，25mW，50mW，100mW，200mW五款规格型号基于同一个技术平台开发；300mW, 600mW, 1200mW三款型号基于同一个技术平台开发。

FQCW266-300/600/1200版本

这三款高功率版本专门针对晶圆缺陷检测应用开发，满足7*24小时连续工作，具有超过16000小时的寿命。

FQCW266-300/600/1200产品优势：

FQCW266-1200主要技术参数：

FQCW266-10/25/50/100/200版本

10mW和25mW型号常用于基础研究与校准任务，输出功率在50mW至200mW的中功率设备主要应用于更精密的计量学和光谱学领域，如紫外光学元件的吸收与波形畸变测量、紫外拉曼光谱分析以及光致发光检测。

FQCW266-25主要技术参数：

转自：海科思锐

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