据韩媒etnews报道，三星电子和SK海力士已经开始进行高带宽存储器（HBM）晶圆的工艺技术转换，这一转换以防止晶圆翘曲的新技术引入为核心，被认为是针对下一代HBM。预计随着工艺转换，材料和设备供应链也将发生变化。

据悉三星电子和SK海力士，最近正在与合作伙伴一起开发将HBM用晶圆剥离（解键合）工艺改为激光方法。

晶圆解键合是在工艺中将变薄的晶圆从临时载片上分离出来的工作。半导体制造过程中，主晶圆和载体晶圆是通过粘合剂粘在一起的，然后用刀片剥离，因此被称为机械解键合。

随着HBM的层数增加，如12层或16层，晶圆变得更薄，使用刀片分离的方法面临极限。晶圆厚度小于30微米时，担心会损坏晶圆，因此蚀刻、抛光、布线等工艺步骤增加，同时需要使用适应超高温环境的新型粘合剂，这也是两家公司选择使用激光而不是传统机械方式的原因。

熟悉该问题的相关行业人士解释说：“为了应对极限工艺环境，需要更强的粘合剂，而这种粘合剂无法通过机械方式分离，因此引入了激光这一新技术”，并表示“这是为了稳定地分离主晶圆和载体晶圆的尝试”。

三星电子和SK海力士正在考虑使用极紫外（EUV）激光和紫外线（UV）激光等多种方式。

激光解键合被认为将首先引入到16层HBM4。HBM4在堆叠DRAM存储器的底部使用基于系统半导体的“基础芯片”，因此需要更精细的工艺和更薄的晶圆，因此激光方式被认为是合适的。

当应用激光时，相关的材料和设备供应链变化是不可避免的。现有的机械方式由日本东京电子和德国SÜSS MicroTec占据市场前两位。激光方式可能会有更多的设备企业进入，预计将展开激烈的争夺战。

晶圆解键合粘合剂主要由美国3M、日本信越化学、日产化学、TOK等供应。据悉，这些公司也在开发可以用于激光方式而不是现有机械方式的新型粘合材料。

文章来源：集微网

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