据了解，近日，华卓精科发布了国内首台8英寸碳化硅激光退火设备，已经顺利通过中国台湾某客户验证，已开展交付，这也代表国产8英寸碳化硅关键设备工艺成功实现自主化，深入迈进高端设备制造领域国际前沿。

在碳化硅高压功率芯片制造工序中，用于背面金属工艺的激光退火工序是不可或缺的关键一环，它直接影响到SiC芯片应用的可靠性和稳定性。在此之前，该领域高端设备市场主要由国外巨头垄断，所以加快该工艺的核心技术自研，实现自主可控十分必要。

目前，华卓精科已经交付了8英寸碳化硅激光退火设备至国内头部Fab，该客户将用其完善8英寸碳化硅芯片工艺平台布置，以实现产能规模落地。与此同时，华卓精科将发挥自主研发和技术领先优势，为客户提供高效率、多方位、智能化的8英寸碳化硅激光退火解决方案，实现高质量交付。

文章来源：激光行业观察

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