利用半导体激光器直接发射出532nm激光是非常困难的。蓝色和绿色半导体激光器一般是在发光的“活性层”采用InGaN的GaN类半导体激光器。日亚化学工业的蓝色和绿色半导体激光器也是这样的。 

 采用InGaN的激光器在将蓝色光转换成长波长的绿色光时，会提高In组成比。这在技术上很难提高光输出功率。日亚化学工业改善了绿色半导体激光器的特性，采用振荡波长532nm，在驱动电压（Vf）4.72V、驱动电流（If）1.6A、室温（25℃）环境下连续振荡时，实现了0.87W的光输出功率。虽然光输出功率还不到1W，但在振荡波长为532nm的绿色半导体激光器中已经很高了。 

该绿色半导体激光器采用了GaN类半导体激光器一般采用的GaN结晶的“c面”、也就是“极性面”。这证明即使不采用容易提高绿色半导体激光器输出功率的GaN结晶的“半极性面”和“非极性面”，也可以获得接近1W的光输出功率。现在，半极性及非极性面的GaN基板都很小，难以提高生产效率，因此很难降低成本。因此，日亚化学工业选择了c面。 

532nm产品的发光效率“WPE（插头效率，光输出功率除以输入功率）”约为11.5％。阈值电流为0.28A，阈值电流密度为1.55kA/cm²。 

 另外，532nm波长在色域标准“ITU-R BT.2020”所规定的色域中是绿色的标准波长，因此日亚化学工业认为，转换成532nm波长对影像设备用途至关重要。