在运行温度130K时，钨基纳米激光器仅仅需要27nW的抽运能量。研究人员认为，由于小尺寸和低功耗的特点，钨基纳米激光器成为光子集成电路中很好的替代品。

华盛顿大学和斯坦福大学的研究人员开发了该器件，关键是他们在器件的光子晶体腔上加了一层钨硒膜。该研究发表于Nature (doi： 10.1038/nature14290).

华盛顿大学的博士研究生Wu Sanfeng介绍：“这是最近的发现，这种新型半导体非常薄，而且能很高效的发光。研究人员基于这种材料的特性，正在制作晶体管、发光二极管和太阳能电池，还有钨基纳米激光器。”

与此同时，研究人员使用另一种原子薄片作为激光增益介质，可实现多种用途，为更方便的控制激光提供了条件。

华盛顿大学教授Arka Majumdar介绍：“在使用其他材料时，增益介质是嵌入式的，根本不可能去改变它。在我们的纳米激光器中，你可以去除或者添加这种单层结构，非常方便。”

二硒化钨单层结构能够将直接带隙激子专门限制在腔表面的1nm范围内。这种材料还可以通过外部控制实现灵活的激光操作，例如静电导通门控和电流注入。

在运行温度130K时，钨基纳米激光器仅仅需要27nW的抽运能量。研究人员认为，由于小尺寸和低功耗的特点，钨基纳米激光器成为光子集成电路中很好的替代品。

华盛顿大学和斯坦福大学的研究人员开发了该器件，关键是他们在器件的光子晶体腔上加了一层钨硒膜。该研究发表于Nature (doi： 10.1038/nature14290).

华盛顿大学的博士研究生Wu Sanfeng介绍：“这是最近的发现，这种新型半导体非常薄，而且能很高效的发光。研究人员基于这种材料的特性，正在制作晶体管、发光二极管和太阳能电池，还有钨基纳米激光器。”

与此同时，研究人员使用另一种原子薄片作为激光增益介质，可实现多种用途，为更方便的控制激光提供了条件。

华盛顿大学教授Arka Majumdar介绍：“在使用其他材料时，增益介质是嵌入式的，根本不可能去改变它。在我们的纳米激光器中，你可以去除或者添加这种单层结构，非常方便。”

二硒化钨单层结构能够将直接带隙激子专门限制在腔表面的1nm范围内。这种材料还可以通过外部控制实现灵活的激光操作，例如静电导通门控和电流注入。