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前沿 Leading Edge Snapshots
简讯
充气空心光子晶体光纤激光器发射 4.6µm 激光
充气空心光纤，是将光纤 的光学参量振荡器（OPO）泵浦。
激光器的波长进一步推进到红 光纤的外径为 300µm，芯
外（IR）区域的一项关键发展， 径为 85µm，具有一个 Kagome
尤其是将波长推进到对于遥感 晶格包层和一个负曲率芯轮廓，
和自由空间通信非常有用的 这有助于抑制光与玻璃之间的
3~5µm 的大气传输窗口。 耦合。Kagome 晶格中支柱的厚
针对此目的一种重要的中 度约为 490nm。实验装置的增
红外光纤，是空心光子晶体光 益足以在不需要外腔的情况下
纤（HCPCF），它可以由二氧化 产生激光。研究人员尝试了各
硅（SiO 2 ）制成，尽管随着中红 种气体压力，发现在 80 Torr 左
外波长的变长，二氧化硅会对光产生 德纳大学和意大利 Reggio Emilia 的 右的压力下，能获得 3% 的最大斜率
强烈吸收。对于硅基 HCPCF（以及 研究人员，已经制造出一种空心气体 效率。由于没有尝试通过修改激光几
其他类型的空芯光纤）来说，重要的 光纤激光器，其发射波长为 4.6µm， 何结构来最大化激光输出，因此预期
是设计上的进步，这实现了导模场仅 研究人员认为这是硅基 HCPCF 内部 将来还可以实现更高的斜率效率。研
与玻璃包层轻微重叠，使吸收最小化， 产生的最长波长。该激光器使用氮氧 究人员认为，他们的技术将允许硅基
从而获得更长的发射波长。现在，新 化物（N 2 O）作为增益材料，用发射 HCPCF 激光器的输出波长扩展到超
墨西哥大学、法国 Xlim 研究所、摩 波长 1.517µm、脉宽 8ns、能量 40µJ 过 5µm。
紫外敏感的 TDI 成像器集 CCD 和 CMOS 技术的优点于一身
比利时纳米电子学和数字技术研 CCD-in-CMOS 技术，将 CCD
究中心 IMEC，开发了一种紫外（UV） TDI 像素和 CMOS 读数结合在一种
敏感的延时集成（TDI）成像器，该 技术中，用于实现低噪声（10e-）、
成像器基于互补金属氧化物半导体 低功耗（<3W）、高灵敏度、高
（CMOS）中的电荷耦合器件（CCD） 速度（线速高达 300kHz）的芯
技术（CCD-in-CMOS）。通过应用背 片级单线扫描成像器。IMEC 在其
光照明技术和特定的紫外线抗反射涂 130nm CMOS 成像平台内开发了一个
层，该成像器在 250~400nm 的近紫 单极 CCD 像素，包括背光照明后处
外区域，可以获得超过 70% 的峰值 理。该在 200nm 晶圆上制造的紫外
量子效率，这使得该传感器是半导体 传感器，制造步骤也与其他后处理晶 一最新的成像器是对紫外线敏感的，
检测和其他对短于可见光的波长敏感 圆级技术兼容，包括光谱滤波器集成， 也可以提供对可见波长敏感的图像传
的应用的理想选择。 以实现多光谱 TDI 线扫描成像。这 感器。
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